華南檢測中心（成都分支）

        整合工程服務平臺提供IT產業的先進技術解決方案，包括發展的測試、驗證、診斷及分析工程服務技術:掌握新市場奈米世代半導體先進制程、保護智慧財產權及綠色環保產品趨勢，結合電性參數分析、去IC封裝、IC層次去除、試片制備、微光顯微鏡、電子顯微鏡分析(SEM, TEM)、可靠度工程...等技術,提供具時效性的高質量全方位服務,加速客戶新產品開發及上市的需求。
失效分析步驟：背景調查、確定失效模式、分析失效機理、提出預防措施。
背景調查：基本信息，出于管理需要的信息，樣品來源、型號、批次、編號、時間、地點等。 技術信息，是判斷可能的失效機理和失效分析方案設計的重要依據。技術信息包括特定使用應用信息：整機故障現象﹑異常環境﹑在整機中的狀態﹑二次篩選應力、失效歷史、失效比例；特定生產工藝：生產工藝條件和方法及特種器件應先用好品開封了解和研究其結構特點。
確定失效模式：所失效模式是指失效的物理表現形式和過程，一般可理解為導致失效的異常物理現象及其位置。判斷失效原因。失效原因通常是指釀成失效甚至事故的直接關鍵性因素，也就是失效的外因，往往與設計，材料，制造工藝，環境以及管理有關。
分析失效機理。失效機理是指失效的物理，化學變化本質，其實就是指失效的內因。在集成電路的失效分析中包含兩部分內容，一部分是指導致電氣性能失效的物理現象，稱為電性失效機理；另一部分是指引起這種物理現象的本質，成為物理失效機理。
提出預防措施。預防措施的提出是建立在前面對失效模式，失效原因和失效機理深入分析和準確把握的基礎上。只有這樣，才能對設計，材料，制造工藝，環境以及管理做出相應的改進和創新的預防措施，從而避免類似失效的發生。
失效分析一般流程：

收集失效現場數據
電測并確定失效模式
非破壞檢查
打開封裝
鏡檢
通電并進行失效定位
對失效部位進行物理化學分析，確定失效機理
綜合分析，確定失效原因，提出糾正措施

失效分析主要手段
光學檢測
電學測試
X射線檢查
聲學掃描     物理檢查
金相切片
染色分析
開封         聚焦離子束 FIB
光輻射電子顯微鏡
掃描電鏡能譜分析SEM-EDS
透射電鏡TEM
顯微傅利葉紅外分析 FTIR
俄歇電子成份分析 AES-XPS
粘貼強度  剪切強度       引線鍵合強度

主要失效分析技術能力：
集成電路
分立元器件
小型整機
電子工藝材料的檢測分析
元器件工藝適應性測試評價
PCB&PCBA失效分析
金屬材料及部件
高分子材料及部件
涂料、涂層產品
包裝材料
腐蝕失效分析
工藝設計可靠性分析及評價